在不断发展的技术领域中，某些创新技术因其重塑行业和重新定义性能标准的潜力而脱颖而出。磁阻随机存取存储器（MRAM）就是这样一种突破，与传统存储器技术相比，MRAM是一种速度更快、耐用性更强、功耗更低的非易失性存储器。磁阻随机存取存储器及其嵌入式变体在汽车工业、航空航天和国防等各行各业都获得了显著的发展。例如，汽车行业就受益于微控制器中嵌入式存储器的替代存储器类型，这使得遵循摩尔定律并进一步缩小微控制器成为可能。在此背景下，深入研究推动MRAM和嵌入式RAM技术领域发展的主要企业，以深入了解其战略地位至关重要。
出于以下几个原因，了解该市场的主要参与者至关重要。在对高速、可靠和高能效内存解决方案日益增长的需求推动下，全球内存市场有望实现大幅增长。随着企业和消费者不断追求更高的设备性能，MRAM的独特优势使其成为一种具有相关性和竞争力的选择。
MRAM技术领域的发展历程
图1 过去20年MRAM领域的专利申请趋势和IEEE论文数量
如图1所示，2004至2013年间，MRAM领域的专利申请保持稳定，每年约有300至400项专利申请。唯一的例外是2011年，该年出现了一个峰值。进一步调查发现，2011年东芝增加了在该技术领域的专利申请，从而导致了这一激增。
图表还包括与MRAM相关的IEEE期刊和会议论文的统计，以补充申请趋势。文献和会议论文的出版速度快于专利，因此也可用于预测趋势。这些趋势以及申请趋势表明，MRAM专利申请率有望稳定在这个新高峰。
图2 MRAM领域专利组合的质量和数量排名TOP10公司气泡图
图2展示了MRAM技术领域排名前10位公司的专利组合实力。该图在x轴上显示了每家公司的有效专利组合规模，在y轴上显示了相应组合的平均专利质量或竞争影响。气泡大小代表每家公司根据专利资产指数衡量的MRAM专利组合实力。
考虑到活跃专利组合的规模，排名前10的公司可分为三类：强大专利组合的拥有者（如三星、Kioxia和台积电）；追随者（如TDK和IBM）以及其他。
同样有趣的是，在大型企业中，台积电和三星的专利组合的平均专利质量相当。
三星和东芝分拆出来的Kioxia是存储器件制造商，其设计、制造和销售自己的存储器产品。台积电是一家半导体代工厂，只为客户生产设备。因此，如果不仔细阅读它们的专利，可以认为三星和Kioxia拥有大量与大容量存储设备相关的专利，而台积电则专注于嵌入式存储器。
各公司争相利用MRAM技术进入大众市场
为了了解该领域的竞争动态，我们采用了创新成熟度矩阵分析的变体（如 WIPO 的《绘制创新地图：专利与可持续发展目标》（2004 年）中所述），从三个维度审视顶尖公司，所有维度都与它们的专利组合有关。分析包括：相对新旧程度——衡量该专利组合中MRAM专利的相对新旧程度；创新强度——专利组合中活跃和不活跃的MRAM专利族的数量；MRAM组合的复合年增长率（CAGR），即公司活跃的MRAM相关专利组合规模的五年增长率。
图 3 根据创新强度、发明的相对新旧程度和活跃的专利组合增长率比较TOP10MRAM专利组合所有者
由图3可知，TDK、IBM和Western Digital具有相似的申请模式，导致了相似的相对周期。然而，正如创新强度所显示的那样，它们在申请总数上有很大差异。
虽然三星申请的MRAM专利数量总体上多于台积电（创新强度更高），但事实证明，台积电近期的专利申请更为活跃，这一点从其更高的专利申请周期中可以看出。活跃的MRAM专利的中位年限进一步证明了这一观点，三星的中位年限约为9年，而台积电的中位年限约为6年。
值得注意的是，台积电活跃专利组合规模的年复合增长率约为三星的10倍。这表明，台积电可能会通过增加相对周期和创新强度来保持其在MRAM技术领域的发展势头，这也表明MRAM是该公司的热门研发方向。
另一方面，预计三星将基本保持现有的创新强度，而相对周期则会下降。这意味着三星可能会维持其现有的MRAM产品组合，暂时不会大幅增加对该技术投资。
市场启示
专利申请趋势分析表明，市场已趋于稳定和成熟，在这一领域开展业务的主要公司已经巩固了自身战略。虽然像三垦（Sanken）和SK海力士（SK Hynix）这样的小公司跻身前十名是件有趣的事，但从专利组合的规模和质量来看，主要公司（即三星和台积电）在市场上处于领先地位。
今年早些时候，恩智浦表示，“他们与台积电合作，共同开发了业界首款车用16纳米FinFET嵌入式MRAM，以支持下一代汽车架构”。这一合作凸显了MRAM在汽车领域日益增长的重要性，其目标是提高先进汽车应用的性能和可靠性。
来源：https://www.iam-media.com/article/patent-analytics-reveal-top-10-players-in-emerging-mram-market